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KSB1015

更新时间： 2024-10-27 22:32:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体放大器晶体管功率双极晶体管功率放大器局域网
页数 文件大小 规格书
4页 53K
描述
Low Frequency Power Amplifier

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KSB1015 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220F包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.71Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：3 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：20JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：25 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：9 MHzBase Number Matches：1

KSB1015 数据手册

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KSB1015  
Low Frequency Power Amplifier  
•
•
Low Collector Emitter Saturation Voltage  
Complement to KSD1406  
TO-220F  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
- 60  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current(DC)  
Base Current  
V
V
CBO  
- 60  
CEO  
EBO  
- 7  
V
I
I
- 3  
A
C
- 0.5  
25  
A
B
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
W
°C  
°C  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 55 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
I
= - 50mA, I = 0  
- 60  
V
CEO  
CBO  
EBO  
C
B
I
I
V
V
= - 60V, I = 0  
- 100  
- 100  
200  
µA  
µA  
CB  
EB  
E
= - 7V, I = 0  
C
h
h
DC Current Gain  
V
V
= - 5V, I = - 0.5A  
60  
20  
FE1  
FE2  
CE  
CE  
C
= - 5V, I = - 3A  
C
V
V
(sat)  
(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter ON Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
Turn ON Time  
I
= - 3A, I = - 0.3A  
- 0.5  
- 0.7  
9
- 1  
- 1  
V
V
CE  
C
B
V
V
V
V
= - 5V, I = - 0.5A  
C
BE  
CE  
CE  
CB  
CC  
f
= - 5V, I = - 0.5A  
MHz  
pF  
µs  
T
C
C
= - 10V, f = 1MHz  
150  
0.4  
1.7  
0.5  
ob  
t
t
t
= - 30V, I = - 1A  
C
ON  
I
= -I = -0.2A  
Storage Time  
B1  
B2  
µs  
STG  
F
R = 30Ω  
L
Fall Time  
µs  
h
Classification  
FE  
Classification  
O
Y
h
60 ~ 120  
100 ~ 200  
FE1  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
1234

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