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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220F |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.7 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 3 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 25 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 9 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KSB1015-O | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| KSB1015OTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
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| KSB1015Y | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| KSB1015-Y | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| KSB1015YTU | ROCHESTER |
获取价格 |
3A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220F, 3 PIN |
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| KSB1015YTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
PNP Epitaxial Silicon Transistor, TO220, MOLDED, 3LD, FULL PACK, EIAJ SC91, STRAIGHT LEAD, |
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| KSB1015YTU | ONSEMI |
获取价格 |
PNP外延硅晶体管 |
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| KSB1017 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| KSB1017 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Amplifier Applications |
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| KSB1017O | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
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