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Datasheet > KP1300A5600-6500V Y76KPR
KP1300A5600-6500V Y76KPR PDF预览

KP1300A5600-6500V Y76KPR

更新时间： 2024-09-15 07:08:07
品牌 Logo 应用领域
柳晶 - LIUJING 可控硅
页数 文件大小 规格书
3页 480K
描述
可控硅、晶闸管

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KP1300A5600-6500V Y76KPR 数据手册

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KP1300A5600~6500V  
Y76KPR  
国标型 普通晶闸管 平板式  
-
(
)
Chinese Type Phase Control Thyristors (Capsule Version)  
Liujing rectifier co., Ltd.  
FEATURES  
1). Center amplifying gate  
2). Metal case with ceramic insulator  
3). Low on-state and switching losses  
TYPICAL APPLICATIONS  
IT(AV)  
2291 A  
1). AC controllers  
VDRM/VRRM 5600-6500V  
2). DC and AC motor control  
3). Controlled rectifiers  
ITSM  
I2t  
22 KA  
2420 103A2S  
THE MAIN PARAMETERS  
VALUE  
℃
SYMBOL  
IT(AV)  
CHARACTERISTIC  
TEST CONDITIONS  
Tj(  
)
UNIT  
A
Min Type Max  
O
℃
℃
Ths=55  
2291  
1300  
180 half sine wave 50Hz  
Double side cooled,  
Mean on-state current  
125  
Ths=95  
VDRM  
VRRM  
Repetitive peak off-state voltage  
Repetitive peak reverse voltage  
VDRM&VRRM,tp=10ms  
DSM&VRSM= VDRM&VRRM+100V  
6500  
125 5600  
125  
V
V
IDRM  
IRRM  
Repetitive peak off-state current  
Repetitive peak reverse current  
VD= VDRM  
VR= VRRM  
250  
22  
mA  
KA  
ITSM  
I2t  
Surge on-state current  
I2T for fusing coordination  
Threshold voltage  
10ms half sine wave  
VR=0.6VRRM  
125  
2420 A2s*103  
VTO  
rT  
1.20  
V
125  
Ω
m
On-state slop resistance  
Peak on-state voltage  
0.28  
ITM=1600A, F=40KN  
VDM=0.67VDRM  
VTM  
dv/dt  
125  
125  
1.65  
V
μ
Critical rate of rise of off-state voltage  
2000 V/  
s
s
VDM= 67%VDRM to3000A,  
μ
di/dt  
Critical rate of rise of on-state current  
125  
200  
A/  
μ
Gate pulse tr ≤0.5 s IGM=1.5A  
Irm  
trr  
Reverse recovery current  
Reverse recovery time  
Recovery charge  
250  
26  
A
μ
ITM=2000A,tp=1000 s,  
μ
di/dt=-20A/ s,  
μ
125  
s
VR=50V  
μ
Qrr  
IGT  
VGT  
IH  
3250  
300  
3.0  
C
Gate trigger current  
Gate trigger voltage  
Holding current  
40  
mA  
V
VA=12V, IA=1A  
VDM=67%VDRM  
25  
0.8  
20  
250  
mA  
V
VGD  
Non-trigger gate voltage  
125  
0.3  
°
At 180 sine, double side cooled  
Clamping force 40KN  
Thermal resistance  
Junction to heatsink  
℃
/W  
Rth(j-h)  
0.010  
Fm  
Mounting force  
Stored temperature  
Weight  
35  
47  
KN  
℃
T
stg  
-40  
140  
Wt  
1300  
g
Size  
Package box size  
mm  
×
×
160 145 65  
www.china-liujing.com  
1 / 3  
123

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与KP1300A5600-6500V Y76KPR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KP13B-SF-PEJ(800) HRS

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 		连接器类型:插座;参考规格:IEC;适合卡座类型:nano SIM卡;基板封装设计:板上;
KP13C-6S-SF(800) HRS

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 		连接器类型:插座;参考规格:IEC;适合卡座类型:nano SIM卡;基板封装设计:板上;
KP13CH-6S-SF(800) HRS

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 		连接器类型:插座;参考规格:IEC;适合卡座类型:nano SIM卡;基板封装设计:板上;
KP13TJ-SF SIM BLOCK(800) HRS

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 		连接器类型:插座;参考规格:IEC;适合卡座类型:nano SIM卡;基板封装设计:板上;
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KP14013200J0G AMPHENOL

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 		Barrier Strip Terminal Block
KP14015100J0G AMPHENOL

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 		Barrier Strip Terminal Block,
KP14015200J0G AMPHENOL

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