生命周期: | Obsolete | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.74 | Is Samacsys: | N |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 30 V |
最大漏源导通电阻: | 0.036 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 75 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
KMB050N60P | KEC |
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TO-220AB PACKAGE | |
KMB050N60PA | KEC |
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TO-220AB PACKAGE | |
KMB054N40DA | KEC |
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DPAK(1) PACKAGE | |
KMB054N40DB | KEC |
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N-Ch Trench MOSFET | |
KMB054N40DC | KEC |
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N-Ch Trench MOSFET | |
KMB054N40IA | KEC |
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N-Ch Trench MOSFET | |
KMB054N45DA | KEC |
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N-Ch Trench MOSFET | |
KMB060N40BA | KEC |
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N-Ch Trench MOSFET | |
KMB060N60PA | KEC |
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N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR | |
KMB060N60PA_08 | KEC |
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N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |