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KMB030N30D

更新时间: 2024-10-28 11:30:47
品牌 Logo 应用领域
KEC 晶体晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
1页 366K
描述
DPAK PACKAGE

KMB030N30D 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.74Is Samacsys:N
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:30 V
最大漏源导通电阻:0.036 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSSO-G2元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):75 A认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

KMB030N30D 数据手册

  
SEMICONDUCTOR  
MARKING SPECIFICATION  
KMB030N30D  
DPAK PACKAGE  
1. Marking method  
Laser Marking.  
2. Marking  
1
2
KMB  
030N30D  
601  
No.  
Item  
Marking  
Description  
KMB030N30D  
Device Name  
KMB030N30D  
6
Year  
0~9 : 2000~2009  
01 : 1st Week  
Lot No.  
601  
01  
Week  
2006. 6. 12  
Revision No : 0  
1/1  

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