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KMB050N60P

更新时间: 2024-10-28 11:30:47
品牌 Logo 应用领域
KEC /
页数 文件大小 规格书
1页 15K
描述
TO-220AB PACKAGE

KMB050N60P 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-220AB
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.71雪崩能效等级(Eas):493 mJ
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (ID):50 A最大漏源导通电阻:0.022 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):200 A认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

KMB050N60P 数据手册

  
SEMICONDUCTOR  
KMB050N60P  
MARKING SPECIFICATION  
TO-220AB PACKAGE  
1. Marking method  
Laser Marking.  
2. Marking  
1
KMB050N  
60P  
2
511  
No.  
Item  
Marking  
Description  
KMB050N60P  
Year  
Device Name  
KMB050N60P  
5
0~9 : 2000~2009  
11 : 11th Week  
Lot No.  
511  
11  
Week  
2005. 11. 14  
Revision No : 0  
1/1  

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