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| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.67 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 40 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 54 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0085 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 100 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KMB054N40DB | KEC |
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N-Ch Trench MOSFET |
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| KMB054N40DC | KEC |
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N-Ch Trench MOSFET |
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| KMB054N40IA | KEC |
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N-Ch Trench MOSFET |
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| KMB054N45DA | KEC |
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N-Ch Trench MOSFET |
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| KMB060N40BA | KEC |
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N-Ch Trench MOSFET |
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| KMB060N60PA | KEC |
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N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| KMB060N60PA_08 | KEC |
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N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| KMB075N75P | KEC |
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TO-220AB PACKAGE |
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| KMB080N75PA | KEC |
获取价格 |
N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| KMB110F | PACELEADER |
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Schottky Surface Mount Flat Bridge Rectifier |
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