生命周期: | Active | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.67 |
Is Samacsys: | N | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 40 V |
最大漏极电流 (ID): | 54 A | 最大漏源导通电阻: | 0.0085 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 100 A |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
KMB054N40DB | KEC |
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N-Ch Trench MOSFET | |
KMB054N40DC | KEC |
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N-Ch Trench MOSFET | |
KMB054N40IA | KEC |
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N-Ch Trench MOSFET | |
KMB054N45DA | KEC |
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N-Ch Trench MOSFET | |
KMB060N40BA | KEC |
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N-Ch Trench MOSFET | |
KMB060N60PA | KEC |
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N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR | |
KMB060N60PA_08 | KEC |
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N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR | |
KMB075N75P | KEC |
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TO-220AB PACKAGE | |
KMB080N75PA | KEC |
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N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR | |
KMB110F | PACELEADER |
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Schottky Surface Mount Flat Bridge Rectifier |