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KMB054N45DA

更新时间： 2024-10-28 11:30:47
品牌 Logo 应用领域
KEC 晶体晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
5页 244K
描述
N-Ch Trench MOSFET

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KMB054N45DA 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.76
Is Samacsys：N外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：45 V
最大漏极电流 (ID)：54 A最大漏源导通电阻：0.0085 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：100 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

KMB054N45DA 数据手册

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SEMICONDUCTOR  
KMB054N45DA  
TECHNICAL DATA  
N-Ch Trench MOSFET  
General Description  
This Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switching  
time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche  
characteristics. It is mainly suitable for Back-light Inverter and Power  
Supply.  
A
C
K
DIM MILLIMETERS  
L
D
B
_
A
B
C
D
E
6.60 + 0.20  
_
6.10+0.20  
_
5.34 + 0.30  
_
0.70+0.20  
_
2.70 + 0.15  
_
2.30+0.10  
F
0.96 MAX  
0.90 MAX  
G
H
J
FEATURES  
H
J
_
1.80+0.20  
E
VDSS=45V, ID=54A.  
_
2.30+0.10  
K
L
G
N
_
0.50 + 0.10  
Low Drain-Source ON Resistance.  
: RDS(ON)=8.5m (Max.) @ VGS=10V  
: RDS(ON)=11m (Max.) @ VGS=4.5V  
Super High Dense Cell Design.  
High Power and Current Handling Capability.  
_
F
F
M
M
N
0.50+0.10  
0.70 MIN  
1. GATE  
1
2
3
2. DRAIN  
3. SOURCE  
MAXIMUM RATING (Ta=25 Unless otherwise Noted)  
DPAK (1)  
CHARACTERISTIC  
Drain-Source Voltage  
SYMBOL  
VDSS  
VGSS  
ID  
N-Ch  
45  
UNIT  
V
Gate-Source Voltage  
V
20  
54  
Marking  
DC@TC=25  
Pulsed  
(Note1)  
(Note2)  
Drain Current  
A
A
Type Name  
IDP  
100  
100  
45  
IS  
Drain-Source-Diode Forward Current  
KMB  
054N45  
DA  
@TC=25  
Drain Power Dissipation  
@Ta=25  
(Note1)  
(Note2)  
PD  
W
Lot No  
3.1  
150  
Tj  
Maximum Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
Tstg  
-55 150  
2.8  
RthJC  
RthJA  
Thermal Resistance, Junction to Case  
(Note1)  
/W  
/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note2)  
40  
Note 1) RthJC means that the infinite heat sink is mounted.  
Note 2) Surface Mounted on 1 1 Pad of 2 oz copper.  
PIN CONNECTION (TOP VIEW)  
D
2
2
1
3
1
3
G
S
2008. 8. 7  
Revision No : 0  
1/5  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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