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KMB060N40BA

更新时间： 2024-11-20 05:40:55
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KEC /
页数 文件大小 规格书
4页 56K
描述
N-Ch Trench MOSFET

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KMB060N40BA 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.84
雪崩能效等级（Eas）：153 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (ID)：60 A最大漏源导通电阻：0.0085 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：100 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

KMB060N40BA 数据手册

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SEMICONDUCTOR  
KMB060N40BA  
N-Ch Trench MOSFET  
TECHNICAL DATA  
General Description  
K
L
A
This Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switching  
time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche  
characteristics. It is mainly suitable for Back-light Inverter and power  
Supply.  
DIM MILLIMETERS  
_
+
A
B
C
D
E
9.95 0.05  
B
E
_
9.2+0.1  
D
8.00  
_
15.3 0.2  
+
P
_
4.9+0.2  
F
Φ
1.5  
R
Q
_
2.54 0.05  
+
G
H
J
FEATURES  
_
0.80 0.05  
+
_
1.27 +0.10  
VDSS=40V, ID=60A.  
K
L
4.50  
1.30  
6.90  
1.75  
C
Low Drain to Source ON Resistance.  
: RDS(ON)=8.5m (Max.) @ VGS=10V  
: RDS(ON)=11m (Max.) @ VGS=4.5V  
Super High Dense Cell Design.  
High Power and Current Handling Capability.  
M
N
O
P
4.40  
0.15  
0.05  
+
_
0.1  
_
+
2.4 0.1  
Q
R
2.0 MIN  
MAXIMUM RATING (Ta=25 Unless otherwise Noted)  
CHARACTERISTIC  
Drain to Source Voltage  
SYMBOL  
VDSS  
VGSS  
ID  
N-Ch  
40  
UNIT  
V
D2PAK  
Gate to Source Voltage  
V
Marking  
20  
60  
DC@TC=25  
Pulsed  
(Note1)  
(Note2)  
Drain Current  
A
IDP  
100  
100  
153  
69  
IS  
Drain to Source Diode Forward Current  
Single Pulsed Avalanche Energy  
A
Type Name  
KMB  
EAS  
(Note3)  
(Note1)  
(Note2)  
mJ  
060N40  
BA  
@TC=25  
Drain Power Dissipation  
@Ta=25  
Lot No  
PD  
W
3.1  
150  
Tj  
Maximum Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
Tstg  
-55 150  
1.8  
RthJC  
RthJA  
Thermal Resistance, Junction to Case  
(Note1)  
/W  
/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note2)  
40  
Note 1) RthJC means that the infinite heat sink is mounted.  
Note 2) Surface Mounted on 1″ 1″Pad of 2 oz copper.  
Note 3) L=42.5 H, IAS=60A, VDD=20V, VGS=10V, Starting Tj=25  
PIN CONNECTION (TOP VIEW)  
D
2
2
3
1
1
3
G
S
2009. 1. 14  
Revision No : 0  
1/4  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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