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KMB075N75P

更新时间: 2024-10-28 11:30:47
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KEC 晶体晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
1页 15K
描述
TO-220AB PACKAGE

KMB075N75P 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-220AB
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.76Is Samacsys:N
雪崩能效等级(Eas):1350 mJ配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:75 V最大漏极电流 (ID):75 A
最大漏源导通电阻:0.017 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):300 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

KMB075N75P 数据手册

  
SEMICONDUCTOR  
KMB075N75P  
MARKING SPECIFICATION  
TO-220AB PACKAGE  
1. Marking method  
Laser Marking.  
2. Marking  
1
KMB075N  
75P  
2
511  
No.  
Item  
Marking  
Description  
KMB075N75P  
Year  
Device Name  
KMB075N75P  
5
0~9 : 2000~2009  
11 : 11th Week  
Lot No.  
511  
11  
Week  
2005. 11. 14  
Revision No : 0  
1/1  

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