是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, DIP8,.3 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.33 |
最大时钟频率 (fCLK): | 1 MHz | 数据保留时间-最小值: | 10 |
耐久性: | 100000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码: | R-PDIP-T8 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 9.185 mm |
内存密度: | 4096 bit | 内存集成电路类型: | EEPROM |
内存宽度: | 16 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 8 | 字数: | 256 words |
字数代码: | 256 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 256X16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP8,.3 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 4.55 mm |
串行总线类型: | MICROWIRE | 最大待机电流: | 0.00005 A |
子类别: | EEPROMs | 最大压摆率: | 0.003 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 7.62 mm |
最长写入周期时间 (tWC): | 10 ms | 写保护: | SOFTWARE |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
KM93C66G | SAMSUNG |
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EEPROM, 256X16, Serial, CMOS, PDSO8, PLASTIC, SOP-8 | |
KM93C66GD | SAMSUNG |
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EEPROM, 256X16, Serial, CMOS, PDSO8, PLASTIC, SOP-8 | |
KM93C66V | SAMSUNG |
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EEPROM, 256X16, Serial, CMOS, PDIP8, PLASTIC, DIP-8 | |
KM93C66VG | SAMSUNG |
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EEPROM, 256X16, Serial, CMOS, PDSO8, PLASTIC, SOP-8 | |
KM93C66VGD | SAMSUNG |
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EEPROM, 256X16, Serial, CMOS, PDSO8, PLASTIC, SOP-8 | |
KM93C67 | SAMSUNG |
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EEPROM, 512X8, Serial, CMOS, PDIP8, PLASTIC, DIP-8 | |
KM93C67G | SAMSUNG |
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EEPROM, 512X8, Serial, CMOS, PDSO8, PLASTIC, SOP-8 | |
KM93C67GD | SAMSUNG |
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EEPROM, 512X8, Serial, CMOS, PDSO8, PLASTIC, SOP-8 | |
KM93C67V | SAMSUNG |
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EEPROM, 512X8, Serial, CMOS, PDIP8, PLASTIC, DIP-8 | |
KM93C67VG | SAMSUNG |
获取价格 |
EEPROM, 512X8, Serial, CMOS, PDSO8, PLASTIC, SOP-8 |