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KM93C67V

更新时间： 2024-11-18 20:40:27

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三星 - SAMSUNG		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
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描述
EEPROM, 512X8, Serial, CMOS, PDIP8, PLASTIC, DIP-8

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KM93C67V 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP, DIP8,.3	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.92
其他特性：	AUTOMATIC WRITE; 100000 ERASE/WRITE CYCLES; DATA RETENTION = 10 YEARS	备用内存宽度：	8
最大时钟频率 (fCLK)：	1 MHz	数据保留时间-最小值：	10
耐久性：	100000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PDIP-T8
JESD-609代码：	e0	长度：	9.185 mm
内存密度：	4096 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	512 words
字数代码：	512	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	512X8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP8,.3	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	4.55 mm
串行总线类型：	MICROWIRE	最大待机电流：	0.00005 A
子类别：	EEPROMs	最大压摆率：	0.002 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms	写保护：	SOFTWARE
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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