Datasheet > KM93C67VGD

KM93C67VGD

更新时间： 2024-11-18 20:40:27

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
1页	47K
描述
EEPROM, 512X8, Serial, CMOS, PDSO8, PLASTIC, SOP-8

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

KM93C67VGD 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	SOP, SOP8,.25
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.92	其他特性：	AUTOMATIC WRITE; 100000 ERASE/WRITE CYCLES; DATA RETENTION = 10 YEARS
备用内存宽度：	8	最大时钟频率 (fCLK)：	1 MHz
数据保留时间-最小值：	10	耐久性：	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e0
长度：	5.02 mm	内存密度：	4096 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	8
字数：	512 words	字数代码：	512
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	512X8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装等效代码：	SOP8,.25
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	SERIAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.95 mm	串行总线类型：	MICROWIRE
最大待机电流：	0.00005 A	子类别：	EEPROMs
最大压摆率：	0.002 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	3.94 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms
写保护：	SOFTWARE	Base Number Matches：	1

KM93C67VGD 数据手册

中文翻译

下载PDF

与KM93C67VGD相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KM93CS56	SAMSUNG	获取价格	EEPROM, 128X16, Serial, CMOS, PDIP8, PLASTIC, DIP-8
KM93CS56GD	SAMSUNG	获取价格	EEPROM, 128X16, Serial, CMOS, PDSO8, PLASTIC, SOP-8
KM93CS66G	SAMSUNG	获取价格	EEPROM, 256X16, Serial, CMOS, PDSO8, PLASTIC, SOP-8
KM93CS66GD	SAMSUNG	获取价格	EEPROM, 256X16, Serial, CMOS, PDSO8, PLASTIC, SOP-8
KMA010P20Q	KEC	获取价格	P-Ch Trench MOSFET
KMA1117	KEXIN	获取价格	1A Low Dropout Positive Adjustable or Fixed-Mode Regulator
KMA199	NXP	获取价格	Programmable angle sensor
KMA199E	NXP	获取价格	Programmable angle sensor
KMA199E,115	NXP	获取价格	KMA199E - Programmable angle sensor SIP 6-Pin
KMA200	NXP	获取价格	Programmable angle sensor