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KMA010P20Q

更新时间: 2024-11-18 03:48:19
品牌 Logo 应用领域
KEC /
页数 文件大小 规格书
5页 751K
描述
P-Ch Trench MOSFET

KMA010P20Q 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数:8Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.83配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:20 V最大漏源导通电阻:0.014 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PDSO-G8
元件数量:1端子数量:8
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):48 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

KMA010P20Q 数据手册

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SEMICONDUCTOR  
KMA010P20Q  
P-Ch Trench MOSFET  
TECHNICAL DATA  
General Description  
It s mainly suitable for battery pack or power management  
in cell phone, and PDA.  
FEATURES  
H
T
VDSS=-20V, ID=-10A.  
P
D
L
G
Drain-Source ON Resistance.  
: RDS(ON)=14m (Max.) @ VGS=-4.5V, ID=-10A.  
: RDS(ON)=24m (Max.) @ VGS=-2.5V, ID=-7.6A.  
A
DIM MILLIMETERS  
A
B1  
B2  
D
_
4.85 0.2  
+
_
3.94 + 0.2  
_
6.02 0.3  
+
8
1
5
4
_
0.4 + 0.1  
G
0.15+0.1/-0.05  
B1 B2  
_
H
1.63+ 0.2  
_
L
0.65 0.2  
+
P
1.27  
T
0.20+0.1/-0.05  
MAXIMUM RATING (Ta=25  
CHARACTERISTIC  
)
SYMBOL RATING UNIT  
VDSS  
VGSS  
ID *  
Drain-Source Voltage  
-20  
12  
V
V
FLP-8  
Gate-Source Voltage  
DC  
10  
48  
Drain Current  
A
A
IDP*  
Pulsed (Note1)  
IS *  
Source-Drain Diode Current  
-2.3  
1.6  
Ta=25  
PD *  
Drain Power Dissipation  
W
0.625  
150  
Ta=100  
Tj  
Maximum Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
Tstg  
-55 150  
80  
RthJA  
*
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
/W  
* : Surface Mounted on 1  
1 FR4 Board, t 5sec.  
2007. 3. 22  
Revision No : 1  
1/5  

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