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KMA3D7P20SA

更新时间： 2024-11-19 11:30:47

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描述
P-Ch Trench MOSFET

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KMA3D7P20SA 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.7	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏源导通电阻：	0.076 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

KMA3D7P20SA 数据手册

SEMICONDUCTOR

KMA3D7P20SA

TECHNICAL DATA

P-Ch Trench MOSFET

General Description

It’s mainly suitable for use as a load switch.

DIM MILLIMETERS

2.93 0.20

1.30+0.20/-0.15

1.30 MAX

0.40+0.15/-0.05

2.40+0.30/-0.20

1.90

FEATURES

V_DSS=-20V, I_D=-3.7A

Drain to Source on-state Resistance

R_DS(ON)=76m (Max.) @ V_GS=-4.5V

0.95

0.13+0.10/-0.05

0.00 ~ 0.10

0.55

R_DS(ON)=112m (Max.) @ V_GS=-2.5V

0.20 MIN

1.00+0.20/-0.10

MAXIMUM RATING (Ta=25

)

SOT-23

CHARACTERISTIC

SYMBOL

V_DSS

V_GSS

I_D

P-Ch

-20

UNIT

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

-3.7

-16

DC@Ta=25℃ (Note1)

Drain Current

I_DP

Pulsed

Drain to Source Diode Forward Current

(Note1)

I_S

-16

1.25

0.6

Ta=25℃

(Note1)

Drain

P_D

KNH

Power Dissipation

Ta=100℃

T_j

Maximum Junction Temperature

Storage Temperature Range

150

T_stg

-55 150

100

R_thJA

Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note1)

Note1) Surface Mounted on 1

1 FR4 Board, t 5sec.

PIN CONNECTION (TOP VIEW)

2009. 6. 10

Revision No : 1

1/4

12 3 4

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