是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SOIC |
包装说明: | SOP, SOP8,.25 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.92 |
备用内存宽度: | 16 | 最大时钟频率 (fCLK): | 1 MHz |
数据保留时间-最小值: | 10 | 耐久性: | 100000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 5.02 mm | 内存密度: | 4096 bit |
内存集成电路类型: | EEPROM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 8 |
字数: | 512 words | 字数代码: | 512 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 512X8 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOP | 封装等效代码: | SOP8,.25 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
并行/串行: | SERIAL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.95 mm | 串行总线类型: | MICROWIRE |
最大待机电流: | 0.00005 A | 子类别: | EEPROMs |
最大压摆率: | 0.003 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 3.94 mm | 最长写入周期时间 (tWC): | 10 ms |
写保护: | SOFTWARE | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
KM93C67V | SAMSUNG |
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EEPROM, 512X8, Serial, CMOS, PDIP8, PLASTIC, DIP-8 | |
KM93C67VG | SAMSUNG |
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EEPROM, 512X8, Serial, CMOS, PDSO8, PLASTIC, SOP-8 | |
KM93C67VGD | SAMSUNG |
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EEPROM, 512X8, Serial, CMOS, PDSO8, PLASTIC, SOP-8 | |
KM93CS56 | SAMSUNG |
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EEPROM, 128X16, Serial, CMOS, PDIP8, PLASTIC, DIP-8 | |
KM93CS56GD | SAMSUNG |
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EEPROM, 128X16, Serial, CMOS, PDSO8, PLASTIC, SOP-8 | |
KM93CS66G | SAMSUNG |
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EEPROM, 256X16, Serial, CMOS, PDSO8, PLASTIC, SOP-8 | |
KM93CS66GD | SAMSUNG |
获取价格 |
EEPROM, 256X16, Serial, CMOS, PDSO8, PLASTIC, SOP-8 | |
KMA010P20Q | KEC |
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P-Ch Trench MOSFET | |
KMA1117 | KEXIN |
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1A Low Dropout Positive Adjustable or Fixed-Mode Regulator | |
KMA199 | NXP |
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Programmable angle sensor |