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KM93C66VGD

更新时间： 2024-11-18 20:40:27

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三星 - SAMSUNG		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
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描述
EEPROM, 256X16, Serial, CMOS, PDSO8, PLASTIC, SOP-8

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KM93C66VGD 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	SOP, SOP8,.25
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
其他特性：	AUTOMATIC WRITE; 100000 ERASE/WRITE CYCLES; DATA RETENTION = 10 YEARS	最大时钟频率 (fCLK)：	1 MHz
数据保留时间-最小值：	10	耐久性：	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e0
长度：	5.02 mm	内存密度：	4096 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	8
字数：	256 words	字数代码：	256
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	256X16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装等效代码：	SOP8,.25
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	SERIAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.95 mm	串行总线类型：	MICROWIRE
最大待机电流：	0.00005 A	子类别：	EEPROMs
最大压摆率：	0.002 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	3.94 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms
写保护：	SOFTWARE	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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KM93C67GD	SAMSUNG	获取价格	EEPROM, 512X8, Serial, CMOS, PDSO8, PLASTIC, SOP-8
KM93C67V	SAMSUNG	获取价格	EEPROM, 512X8, Serial, CMOS, PDIP8, PLASTIC, DIP-8
KM93C67VG	SAMSUNG	获取价格	EEPROM, 512X8, Serial, CMOS, PDSO8, PLASTIC, SOP-8
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KM93CS66GD	SAMSUNG	获取价格	EEPROM, 256X16, Serial, CMOS, PDSO8, PLASTIC, SOP-8