Datasheet > KM93C66V

KM93C66V

更新时间： 2024-11-18 20:40:27

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
1页	47K
描述
EEPROM, 256X16, Serial, CMOS, PDIP8, PLASTIC, DIP-8

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

KM93C66V 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	DIP, DIP8,.3
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.92	其他特性：	AUTOMATIC WRITE; 100000 ERASE/WRITE CYCLES; DATA RETENTION = 10 YEARS
最大时钟频率 (fCLK)：	1 MHz	数据保留时间-最小值：	10
耐久性：	100000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PDIP-T8
JESD-609代码：	e0	长度：	9.185 mm
内存密度：	4096 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	256 words
字数代码：	256	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	256X16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP8,.3	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	4.55 mm
串行总线类型：	MICROWIRE	最大待机电流：	0.00005 A
子类别：	EEPROMs	最大压摆率：	0.002 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms	写保护：	SOFTWARE
Base Number Matches：	1

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KM93C66VG	SAMSUNG	获取价格	EEPROM, 256X16, Serial, CMOS, PDSO8, PLASTIC, SOP-8
KM93C66VGD	SAMSUNG	获取价格	EEPROM, 256X16, Serial, CMOS, PDSO8, PLASTIC, SOP-8
KM93C67	SAMSUNG	获取价格	EEPROM, 512X8, Serial, CMOS, PDIP8, PLASTIC, DIP-8
KM93C67G	SAMSUNG	获取价格	EEPROM, 512X8, Serial, CMOS, PDSO8, PLASTIC, SOP-8
KM93C67GD	SAMSUNG	获取价格	EEPROM, 512X8, Serial, CMOS, PDSO8, PLASTIC, SOP-8
KM93C67V	SAMSUNG	获取价格	EEPROM, 512X8, Serial, CMOS, PDIP8, PLASTIC, DIP-8
KM93C67VG	SAMSUNG	获取价格	EEPROM, 512X8, Serial, CMOS, PDSO8, PLASTIC, SOP-8
KM93C67VGD	SAMSUNG	获取价格	EEPROM, 512X8, Serial, CMOS, PDSO8, PLASTIC, SOP-8
KM93CS56	SAMSUNG	获取价格	EEPROM, 128X16, Serial, CMOS, PDIP8, PLASTIC, DIP-8
KM93CS56GD	SAMSUNG	获取价格	EEPROM, 128X16, Serial, CMOS, PDSO8, PLASTIC, SOP-8