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KM48L32331AT-GZ

更新时间: 2024-09-15 15:46:19
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 时钟动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
49页 743K
描述
DDR DRAM, 32MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, MS-024FC, TSOP2-66

KM48L32331AT-GZ 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TSSOP2
包装说明:TSOP2, TSSOP66,.46针数:66
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.24风险等级:5.23
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:0.75 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):143 MHz
I/O 类型:COMMON交错的突发长度:2,4,8
JESD-30 代码:R-PDSO-G66JESD-609代码:e0
长度:22.22 mm内存密度:268435456 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:66字数:33554432 words
字数代码:32000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:32MX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装等效代码:TSSOP66,.46封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:2.5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:YES连续突发长度:2,4,8
最大待机电流:0.025 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.2 mA最大供电电压 (Vsup):2.7 V
最小供电电压 (Vsup):2.3 V标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.65 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

KM48L32331AT-GZ 数据手册

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256Mb DDR SDRAM  
Target  
DDR SDRAM Specification  
Version 0.4  
- 1 of 60 -  
REV. 0.4 July 1. '99  

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