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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TSOP2 |
| 包装说明： | TSOP, | 针数： | 54 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.02 | 风险等级： | 5.84 |
| 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间： | 6 ns |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G54 | 长度： | 11.2 mm |
| 内存密度： | 134217728 bit | 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 54 |
| 字数： | 16777216 words | 字数代码： | 16000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 16MX8 | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSOP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.4 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 10.16 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KM48S16030BN-G | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 16MX8, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.441 INCH, 0.40 MM PITCH, STSOP2-54 |
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| KM48S16030BT-F10 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 16MX8, 7ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
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| KM48S16030BT-FH | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 16MX8, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
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| KM48S16030BT-FL | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 16MX8, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
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| KM48S16030BT-G/F10 | SAMSUNG |
获取价格 |
128Mbit SDRAM 4M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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| KM48S16030BT-G/F8 | SAMSUNG |
获取价格 |
128Mbit SDRAM 4M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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| KM48S16030BT-G/FA | SAMSUNG |
获取价格 |
128Mbit SDRAM 4M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
|
| KM48S16030BT-G/FH | SAMSUNG |
获取价格 |
128Mbit SDRAM 4M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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| KM48S16030BT-G/FL | SAMSUNG |
获取价格 |
128Mbit SDRAM 4M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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| KM48S16030BT-G10 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 16MX8, 7ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
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