Datasheet > KM48RC2H-A60

KM48RC2H-A60

更新时间： 2024-11-01 20:56:31

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
34页	1605K
描述
Rambus DRAM, 2MX8, CMOS, PDSO36, PLASTIC, HORIZONTAL SMT-36

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

KM48RC2H-A60 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	LSSOP, SSOP72,.5
针数：	36	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.92	访问模式：	BLOCK ORIENTED PROTOCOL
最大时钟频率 (fCLK)：	600 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G36	JESD-609代码：	e0
长度：	25.1 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	RAMBUS DRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	36	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
组织：	2MX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LSSOP
封装等效代码：	SSOP72,.5	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.7 mm	最大待机电流：	0.001 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.5 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.45 V	最小供电电压 (Vsup)：	3.15 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...34

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KM48RC2H-A66	SAMSUNG	获取价格	Rambus DRAM, 2MX8, CMOS, PDSO36, PLASTIC, HORIZONTAL SMT-36
KM48RCH-A53	SAMSUNG	获取价格	DRAM
KM48RCH-A60	SAMSUNG	获取价格	DRAM
KM48RCH-A66	SAMSUNG	获取价格	DRAM
KM48S16030	SAMSUNG	获取价格	4M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
KM48S16030A	SAMSUNG	获取价格	128Mbit SDRAM 4M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL
KM48S16030AT-F8	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX8, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54
KM48S16030AT-G/F10	SAMSUNG	获取价格	128Mbit SDRAM 4M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL
KM48S16030AT-G/F8	SAMSUNG	获取价格	128Mbit SDRAM 4M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL
KM48S16030AT-G/FA	SAMSUNG	获取价格	128Mbit SDRAM 4M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL