是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SOIC | 包装说明: | LSSOP, SSOP72,.5 |
针数: | 36 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.02 |
风险等级: | 5.92 | 访问模式: | BLOCK ORIENTED PROTOCOL |
最大时钟频率 (fCLK): | 667 MHz | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G36 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 25.1 mm | 内存密度: | 16777216 bit |
内存集成电路类型: | RAMBUS DRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 36 | 字数: | 2097152 words |
字数代码: | 2000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
组织: | 2MX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | LSSOP |
封装等效代码: | SSOP72,.5 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.7 mm | 最大待机电流: | 0.001 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 0.5 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.45 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3.15 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.65 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
KM48RCH-A53 | SAMSUNG |
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DRAM | |
KM48RCH-A60 | SAMSUNG |
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DRAM | |
KM48RCH-A66 | SAMSUNG |
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DRAM | |
KM48S16030 | SAMSUNG |
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4M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM | |
KM48S16030A | SAMSUNG |
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128Mbit SDRAM 4M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL | |
KM48S16030AT-F8 | SAMSUNG |
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Synchronous DRAM, 16MX8, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 | |
KM48S16030AT-G/F10 | SAMSUNG |
获取价格 |
128Mbit SDRAM 4M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL | |
KM48S16030AT-G/F8 | SAMSUNG |
获取价格 |
128Mbit SDRAM 4M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL | |
KM48S16030AT-G/FA | SAMSUNG |
获取价格 |
128Mbit SDRAM 4M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL | |
KM48S16030AT-G/FH | SAMSUNG |
获取价格 |
128Mbit SDRAM 4M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |