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KM48RC2H-A66

更新时间: 2024-11-01 20:56:31
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
34页 1605K
描述
Rambus DRAM, 2MX8, CMOS, PDSO36, PLASTIC, HORIZONTAL SMT-36

KM48RC2H-A66 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOIC包装说明:LSSOP, SSOP72,.5
针数:36Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.92访问模式:BLOCK ORIENTED PROTOCOL
最大时钟频率 (fCLK):667 MHzI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G36JESD-609代码:e0
长度:25.1 mm内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:RAMBUS DRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:36字数:2097152 words
字数代码:2000000工作模式:SYNCHRONOUS
组织:2MX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:LSSOP
封装等效代码:SSOP72,.5封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.7 mm最大待机电流:0.001 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.5 mA
最大供电电压 (Vsup):3.45 V最小供电电压 (Vsup):3.15 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.65 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

KM48RC2H-A66 数据手册

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