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KM48RC2H-A53

更新时间： 2024-09-15 14:51:51

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
36页	1208K
描述
Rambus DRAM, 2MX8, CMOS, PDSO36, PLASTIC, HORIZONTAL SMT-36

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KM48RC2H-A53 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	LSSOP, SSOP72,.5
针数：	36	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
访问模式：	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	最大时钟频率 (fCLK)：	533 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G36
JESD-609代码：	e0	长度：	25.1 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	RAMBUS DRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	36
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	组织：	2MX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LSSOP	封装等效代码：	SSOP72,.5
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.7 mm
最大待机电流：	0.001 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.5 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.45 V
最小供电电压 (Vsup)：	3.15 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...36

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KM48RC2H-A60	SAMSUNG	获取价格	Rambus DRAM, 2MX8, CMOS, PDSO36, PLASTIC, HORIZONTAL SMT-36
KM48RC2H-A66	SAMSUNG	获取价格	Rambus DRAM, 2MX8, CMOS, PDSO36, PLASTIC, HORIZONTAL SMT-36
KM48RCH-A53	SAMSUNG	获取价格	DRAM
KM48RCH-A60	SAMSUNG	获取价格	DRAM
KM48RCH-A66	SAMSUNG	获取价格	DRAM
KM48S16030	SAMSUNG	获取价格	4M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
KM48S16030A	SAMSUNG	获取价格	128Mbit SDRAM 4M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL
KM48S16030AT-F8	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX8, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54
KM48S16030AT-G/F10	SAMSUNG	获取价格	128Mbit SDRAM 4M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL
KM48S16030AT-G/F8	SAMSUNG	获取价格	128Mbit SDRAM 4M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL