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KM23V32000CET

更新时间： 2024-11-11 14:51:51

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		有原始数据的样本ROM 光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
4页	194K
描述
MASK ROM, 4MX8, 150ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44

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KM23V32000CET 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSOP44,.46,32
针数：	44	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	150 ns	其他特性：	USER CONFIGURABLE AS 2M X 16; CAN ALSO OPERATE AT 3V TO 3.6V SUPPLY
备用内存宽度：	8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G44
JESD-609代码：	e0	长度：	18.41 mm
内存密度：	33554432 bit	内存集成电路类型：	MASK ROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	44	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-20 °C
组织：	4MX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP44,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3/3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大待机电流：	0.00003 A
子类别：	MASK ROMs	最大压摆率：	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.3 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KM23V32000CET-12	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 2MX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
KM23V32000CET-15	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 2MX16, 150ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
KM23V32000CG-15	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 2MX16, 150ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44
KM23V32000CT-12	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 2MX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
KM23V32000CT-15	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 2MX16, 150ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
KM23V32000DETY	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 4MX8, 100ns, CMOS, PDSO48, 12 X 18 MM, TSOP1-48
KM23V32000DETY-10	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 2MX16, 100ns, CMOS, PDSO48, 12 X 18 MM, TSOP1-48
KM23V32000DTY	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 4MX8, 100ns, CMOS, PDSO48, 12 X 18 MM, TSOP1-48
KM23V32000DTY-10	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 2MX16, 100ns, CMOS, PDSO48, 12 X 18 MM, TSOP1-48
KM23V32005BET-10	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 2MX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44