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KM23V32000DETY-10

更新时间： 2024-11-21 19:38:47

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		有原始数据的样本ROM 光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
5页	83K
描述
MASK ROM, 2MX16, 100ns, CMOS, PDSO48, 12 X 18 MM, TSOP1-48

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KM23V32000DETY-10 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP1
包装说明：	TSOP1,	针数：	48
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.84
最长访问时间：	100 ns	其他特性：	USER SELECTABLE 3.3V VCC
备用内存宽度：	8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G48
长度：	16.4 mm	内存密度：	33554432 bit
内存集成电路类型：	MASK ROM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	48
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-20 °C	组织：	2MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP1
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.3 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	12 mm	Base Number Matches：	1

KM23V32000DETY-10 数据手册

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KM23V32000D(E)TY/KM23S32000D(E)TY

CMOS MASK ROM

32M-Bit (4Mx8 /2Mx16) CMOS MASK ROM

FEATURES

GENERAL DESCRIPTION

· Switchable organization

4,194,304x8(byte mode)

2,097,152x16(word mode)

· Fast access time

The KM23V32000D(E)TY and KM23S32000D(E)TY are fully

static mask programmable ROM fabricated using silicon gate

CMOS process technology, and is organized either as

4,194,304 x8 bit(byte mode) or as 2,097,152x16 bit(word

mode) depending on BHE voltage level.(See mode selection

table)

Random Access Time

3.3V/3.0V Operation : 100ns(Max.)

2.5V Operation : 150ns(Max.)

· Supply voltage

KM23V32000D(E)TY : single +3.0V/ single +3.3V

KM23S32000D(E)TY : single +2.5V

· Current consumption

This device operates with low power supply, and all inputs and

outputs are TTL compatible.

Because of its asynchronous operation, it requires no external

clock assuring extremely easy operation.

Operating : 40mA(Max.)

Standby : 30mA(Max.)

It is suitable for use in program memory of microprocessor, and

data memory, character generator.

· Fully static operation

· All inputs and outputs TTL compatible

· Three state outputs

The KM23V32000D(E)TY and KM23S32000D(E)TY are pack-

aged in a 48-TSOP1.

· Package

-. KM23V(S)32000D(E)TY : 48-TSOP1-1218

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

Pin Name

A0 - A20

Pin Function

Address Inputs

A20

MEMORY CELL

MATRIX

BUFFERS

AND

(2,097,152x16/

4,194,304x8)

Q0 - Q14

Data Outputs

DECODER

Output 15(Word mode)/

LSB Address(Byte mode)

Q15 /A-1

BHE

Word/Byte selection

Chip Enable

Output Enable

Power

SENSE AMP.

BUFFERS

AND

DATA OUT

BUFFERS

DECODER

VCC

VSS

A-1

Ground

Q0/Q8

Q7/Q15

CONTROL

LOGIC

BHE

12 3 4 5

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