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KM23C32000CG-12 PDF预览

KM23C32000CG-12

更新时间： 2024-09-13 19:49:35
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 有原始数据的样本ROM光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
4页 73K
描述
MASK ROM, 2MX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44

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KM23C32000CG-12 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOIC包装说明：SOP, SOP44,.63
针数：44Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.71
风险等级：5.92最长访问时间：120 ns
其他特性：CONFIGURABLE AS 2M X 16备用内存宽度：8
JESD-30 代码：R-PDSO-G44JESD-609代码：e0
长度：28.5 mm内存密度：33554432 bit
内存集成电路类型：MASK ROM内存宽度：16
功能数量：1端子数量：44
字数：2097152 words字数代码：2000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：2MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP44,.63封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：3.1 mm
最大待机电流：0.00005 A子类别：MASK ROMs
最大压摆率：0.05 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：12.6 mmBase Number Matches：1

KM23C32000CG-12 数据手册

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KM23C32000CG  
CMOS MASK ROM  
32M-Bit (4Mx8 /2Mx16) CMOS MASK ROM  
FEATURES  
GENERAL DESCRIPTION  
· Switchable organization  
4,194,304x8(byte mode)  
2,097,152x16(word mode)  
· Fast access time : 100ns(Max.)  
· Supply voltage : single +5V  
· Current consumption  
Operating : 50mA(Max.)  
Standby : 50mA(Max.)  
· Fully static operation  
The KM23C32000CG is a fully static mask programmable ROM  
fabricated using silicon gate CMOS process technology, and is  
organized either as 4,194,304x8 bit(byte mode) or as  
2,097,152x16 bit(word mode) depending on BHE voltage  
level.(See mode selection table)  
This device operates with a 5V single power supply, and all  
inputs and outputs are TTL compatible.  
Because of its asynchronous operation, it requires no external  
clock assuring extremely easy operation.  
· All inputs and outputs TTL compatible  
· Three state outputs  
· Package  
It is suitable for use in program memory of microprocessor, and  
data memory, character generator.  
-. KM23C32000CG : 44-SOP-600  
The KM23C32000CG is packaged in a 44-SOP.  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
PIN CONFIGURATION  
A20  
X
MEMORY CELL  
MATRIX  
BUFFERS  
AND  
.
.
.
.
.
.
.
.
N.C  
A18  
A20  
1
2
44  
43  
42  
41  
(2,097,152x16/  
4,194,304x8)  
A19  
A8  
DECODER  
A17  
A7  
3
4
A9  
A6  
A5  
A4  
A3  
40 A10  
5
A11  
39  
Y
6
SENSE AMP.  
BUFFERS  
A12  
7
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
BUFFERS  
AND  
8
A13  
A14  
A15  
A2  
A1  
9
DECODER  
A0  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
A-1  
A0  
A16  
SOP  
BHE  
VSS  
CE  
VSS  
OE  
Q0  
.
.
.
Q15/A-1  
Q7  
CE  
Q0/Q8  
Q7/Q15  
CONTROL  
LOGIC  
Q8  
29 Q14  
28 Q6  
OE  
Q1  
BHE  
Q9  
Q13  
Q5  
27  
26  
25  
24  
23  
Q2 19  
Q10 20  
Q12  
Q4  
Q3  
21  
22  
Pin Name  
A0 - A20  
Pin Function  
Address Inputs  
Data Outputs  
Q11  
VCC  
Q0 - Q14  
KM23C32000CG  
Output 15(Word mode)/  
LSB Address(Byte mode)  
Q15 /A-1  
BHE  
CE  
Word/Byte selection  
Chip Enable  
OE  
Output Enable  
Power (+5V)  
Ground  
VCC  
VSS  
N.C  
No Connection  
1234

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与KM23C32000CG-12相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KM23C32000CT-10 SAMSUNG

获取价格

 		MASK ROM, 2MX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
KM23C32000FP-25 SAMSUNG

获取价格

 		MASK ROM, 4MX8, 250ns, CMOS, PQFP64, QFP-64
KM23C32000G-20 SAMSUNG

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 		MASK ROM, 4MX8, 200ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, PLASTIC, SOP-44
KM23C32005-25 SAMSUNG

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 		MASK ROM, 2MX16, 250ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-42
KM23C32005BG-10 SAMSUNG

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 		MASK ROM, 2MX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44
KM23C32005BG-12 SAMSUNG

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 		MASK ROM, 2MX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44
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 		MASK ROM, 2MX16, 150ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44
KM23C32005BT-10 SAMSUNG

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 		MASK ROM, 2MX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
KM23C32005BT-12 SAMSUNG

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