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KM23C32120A-12

更新时间: 2024-11-30 14:43:03
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 有原始数据的样本ROM光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
1页 43K
描述
MASK ROM, 4MX8, 120ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, DIP-42

KM23C32120A-12 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIP包装说明:DIP, DIP42,.6
针数:42Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.71
风险等级:5.92最长访问时间:120 ns
JESD-30 代码:R-PDIP-T42JESD-609代码:e0
长度:52.25 mm内存密度:33554432 bit
内存集成电路类型:MASK ROM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:42
字数:4194304 words字数代码:4000000
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:4MX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP42,.6
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:5.08 mm
最大待机电流:0.00005 A子类别:MASK ROMs
最大压摆率:0.06 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL宽度:15.24 mm
Base Number Matches:1

KM23C32120A-12 数据手册

  

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