Datasheet > KM23C4000D-8

KM23C4000D-8

更新时间： 2024-11-01 15:36:23

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		有原始数据的样本ROM 光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
4页	89K
描述
MASK ROM, 512KX8, 80ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, DIP-32

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

KM23C4000D-8 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	DIP, DIP32,.6
针数：	32	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	5.89	最长访问时间：	80 ns
JESD-30 代码：	R-PDIP-T32	JESD-609代码：	e0
长度：	41.91 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	MASK ROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	512KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP32,.6	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	5.08 mm
最大待机电流：	0.00005 A	子类别：	MASK ROMs
最大压摆率：	0.05 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	15.24 mm	Base Number Matches：	1

KM23C4000D-8 数据手册

KM23C4000D(G)

CMOS MASK ROM

4M-Bit (512Kx8) CMOS MASK ROM

FEATURES

GENERAL DESCRIPTION

· 524,288x8 bit organization

· Access time : 80ns(Max.)

· Supply voltage : single +5V

· Current consumption

Operating : 50mA(Max.)

Standby : 50mA(Max.)

· Fully static operation

· All inputs and outputs TTL compatible

· Three state outputs

· Package

The KM23C4000D(G) is a fully static mask programmable

ROM organized 524,288 x 8 bit. It is fabricated using silicon

gate CMOS process technology.

This device operates with a 5V single power supply, and all

inputs and outputs are TTL compatible.

Because of its asynchronous operation, it requires no external

clock assuring extremely easy operation.

It is suitable for use in program memory of microprocessor, and

data memory, character generator.

The KM23C4000D is packaged in

KM23C4000DG in a 32-SOP.

32-DIP and the

-. KM23C4000D : 32-DIP-600

-. KM23C4000DG : 32-SOP-525

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

PIN CONFIGURATION

A18

MEMORY CELL

MATRIX

BUFFERS

AND

N.C

A16

A15

A12

VCC

(524,288x8)

31 A18

DECODER

A17

A14

A13

SENSE AMP.

BUFFERS

AND

DIP

DECODER

A11

SOP

. .

23 A10

21 CE

CONTROL

LOGIC

VSS

19 Q5

Pin Name

A0 - A18

Q0 - Q7

Pin Function

Address Inputs

Data Outputs

Chip Enable

Output Enable

Power(+5V)

Ground

KM23C4000D(G)

VCC

VSS

N.C

No Connection

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与KM23C4000D-8相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KM23C4000DETY-8	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 512KX8, 80ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32
KM23C4000DG-8	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 512KX8, 80ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, SOP-32
KM23C4000G-15	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 512KX8, 150ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32
KM23C4000G-20	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 512KX8, 200ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32
KM23C4000H-15	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 512KX8, 150ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
KM23C4000HG-15	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 512KX8, 150ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32
KM23C4001A-20	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 512KX8, 200ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
KM23C4001BG-10	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 512KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 0.450 INCH, SOP-32
KM23C4001BG-12	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 512KX8, 120ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32
KM23C4001G-15	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 512KX8, 150ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32

与KM23C4000D-8相关文章

三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

22
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

23
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
2024-10-18

46
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
2024-10-15

54

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

KM23C4000D-8

KM23C4000D-8 技术参数

KM23C4000D-8 数据手册

与KM23C4000D-8相关器件

与KM23C4000D-8相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

KM23C4000D-8

KM23C4000D-8 技术参数

KM23C4000D-8 数据手册

与KM23C4000D-8相关器件

与KM23C4000D-8相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？