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KM23C4100D

更新时间: 2024-11-18 20:05:03
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 有原始数据的样本ROM光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
4页 186K
描述
MASK ROM, 512KX8, 80ns, CMOS, PDIP40, 0.600 INCH, DIP-40

KM23C4100D 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP,针数:40
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.71风险等级:5.84
最长访问时间:80 ns其他特性:USER CONFIGURABLE AS 256K X 16
JESD-30 代码:R-PDIP-T40长度:52.42 mm
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:MASK ROM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:40字数:524288 words
字数代码:512000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:512KX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified座面最大高度:5.08 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL宽度:15.24 mm
Base Number Matches:1

KM23C4100D 数据手册

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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