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KM23C512-25

更新时间: 2024-11-18 20:48:43
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 有原始数据的样本ROM光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
4页 221K
描述
MASK ROM, 64KX8, 250ns, CMOS, PDIP28

KM23C512-25 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Contact Manufacturer包装说明:DIP, DIP28,.6
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.78
最长访问时间:250 nsJESD-30 代码:R-PDIP-T28
JESD-609代码:e0内存密度:524288 bit
内存集成电路类型:MASK ROM内存宽度:8
湿度敏感等级:3端子数量:28
字数:65536 words字数代码:64000
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:64KX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP28,.6
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):260电源:5 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.00004 A
子类别:MASK ROMs最大压摆率:0.04 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40Base Number Matches:1

KM23C512-25 数据手册

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