5秒后页面跳转
KM23C4100B-12 PDF预览

KM23C4100B-12

更新时间: 2024-11-01 18:37:27
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 有原始数据的样本ROM光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
1页 54K
描述
MASK ROM, 512KX8, 120ns, CMOS, PDIP40, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-40

KM23C4100B-12 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP, DIP40,.6针数:40
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.71风险等级:5.92
最长访问时间:120 ns备用内存宽度:16
JESD-30 代码:R-PDIP-T40JESD-609代码:e0
长度:52.43 mm内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:MASK ROM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:40
字数:524288 words字数代码:512000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:512KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP40,.6
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5.08 mm最大待机电流:0.00005 A
子类别:MASK ROMs最大压摆率:0.06 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:15.24 mm
Base Number Matches:1

KM23C4100B-12 数据手册

  

与KM23C4100B-12相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KM23C4100BFP1-15 SAMSUNG

获取价格

MASK ROM, 512KX8, 150ns, CMOS, CQFP44, 14 X 14 MM, QFP-44
KM23C4100BFP2-15 SAMSUNG

获取价格

MASK ROM, 512KX8, 150ns, CMOS, CQFP44, 10 X 10 MM, QFP-44
KM23C4100D SAMSUNG

获取价格

MASK ROM, 512KX8, 80ns, CMOS, PDIP40, 0.600 INCH, DIP-40
KM23C4100D-10 SAMSUNG

获取价格

MASK ROM, 256KX16, 100ns, CMOS, PDIP40, 0.600 INCH, DIP-40
KM23C4100DET SAMSUNG

获取价格

4M-Bit (512Kx8 /256Kx16) CMOS MASK ROM
KM23C4100DET-10 SAMSUNG

获取价格

MASK ROM, 256KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
KM23C4100DET-12 SAMSUNG

获取价格

MASK ROM, 256KX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
KM23C4100DET-8 SAMSUNG

获取价格

MASK ROM, 256KX16, 80ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
KM23C4100DT SAMSUNG

获取价格

4M-Bit (512Kx8 /256Kx16) CMOS MASK ROM
KM23C4100DT-8 SAMSUNG

获取价格

MASK ROM, 256KX16, 80ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44