是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, DIP40,.6 | 针数: | 40 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.71 | 风险等级: | 5.92 |
最长访问时间: | 120 ns | 备用内存宽度: | 16 |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T40 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 52.43 mm | 内存密度: | 4194304 bit |
内存集成电路类型: | MASK ROM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 40 |
字数: | 524288 words | 字数代码: | 512000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 512KX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP40,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 5.08 mm | 最大待机电流: | 0.00005 A |
子类别: | MASK ROMs | 最大压摆率: | 0.06 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 15.24 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
KM23C4100BFP1-15 | SAMSUNG |
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MASK ROM, 512KX8, 150ns, CMOS, CQFP44, 14 X 14 MM, QFP-44 | |
KM23C4100BFP2-15 | SAMSUNG |
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MASK ROM, 512KX8, 150ns, CMOS, CQFP44, 10 X 10 MM, QFP-44 | |
KM23C4100D | SAMSUNG |
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MASK ROM, 512KX8, 80ns, CMOS, PDIP40, 0.600 INCH, DIP-40 | |
KM23C4100D-10 | SAMSUNG |
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MASK ROM, 256KX16, 100ns, CMOS, PDIP40, 0.600 INCH, DIP-40 | |
KM23C4100DET | SAMSUNG |
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4M-Bit (512Kx8 /256Kx16) CMOS MASK ROM | |
KM23C4100DET-10 | SAMSUNG |
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MASK ROM, 256KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44 | |
KM23C4100DET-12 | SAMSUNG |
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MASK ROM, 256KX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44 | |
KM23C4100DET-8 | SAMSUNG |
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MASK ROM, 256KX16, 80ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44 | |
KM23C4100DT | SAMSUNG |
获取价格 |
4M-Bit (512Kx8 /256Kx16) CMOS MASK ROM | |
KM23C4100DT-8 | SAMSUNG |
获取价格 |
MASK ROM, 256KX16, 80ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44 |