KDS1001AF2

更新时间： 2024-11-20 03:47:43

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可天士 - KODENSHI		半导体光电二极管光电二极管
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描述
PIN Photodiode

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KDS1001AF2 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.06	最大暗电源：	20 nA
安装特点：	SURFACE MOUNT	最高工作温度：	120 °C
最低工作温度：	-40 °C	光电设备类型：	PIN PHOTODIODE
最大反向电压：	30 V	半导体材料：	Silicon
子类别：	Photo Diodes	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

KDS1001AF2 数据手册

NEW PRODUCT

PIN Photodiode KDS1001AF2

Description

The KDS1001AF2 is a silicon PIN Photodiode has two active areas

(Photodiodes) integrated in one chip

Features

- Two segmented photodiodes

- Flat plastic package

- Laser beam focusing / positioning is best performed

- High-speed response by PIN construction

Application

Outline Dimensions

- Automatic focusing of camera

- Sun sensor for the car air conditioner

ACTIVE AREA

ACTIVE AREA DIMENSIONS

NOTE

1. GENERAL TOLERANCE : ±0.3

2. PIN CONFIGURATION

Characteristics

Description

[Ta= 25

]

Symbol

Condition

Min. Typ. Max.

Unit

Open Circuit Voltage

Short Circuit Current

Collector Dark Current

Dark Current

Voc

Ev=1,000lx

0.35

μA

_SC(A1)

Ev=1,000lx

I_SC(A2)

I_D

V_R=10V

C_T

V_R=10V, f=1MHz

Capacitance

Spectral Sensitivity

Peak Wavelength

Half Angle

450~1,050

900

deg.

Issued Date : Nov. 2005

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