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Datasheet > K7N163645A-QC15

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K7N163645A-QC15

更新时间： 2024-01-14 03:19:15

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
24页	412K
描述
ZBT SRAM, 512KX36, 3.8ns, CMOS, PQFP100

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K7N163645A-QC15 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	QFP, QFP100,.63X.87
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.92
最长访问时间：	3.8 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	150 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PQFP-G100
JESD-609代码：	e0	内存密度：	18874368 bit
内存集成电路类型：	ZBT SRAM	内存宽度：	36
湿度敏感等级：	3	端子数量：	100
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	512KX36
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	QFP	封装等效代码：	QFP100,.63X.87
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	2.5 V	认证状态：	Not Qualified
最大待机电流：	0.01 A	最小待机电流：	2.38 V
子类别：	SRAMs	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.635 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
Base Number Matches：	1

K7N163645A-QC15 数据手册

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K7N163645A

K7N161845A

Preliminary

512Kx36 & 1Mx18 Pipelined NtRAM^TM

Document Title

512Kx36 & 1Mx18-Bit Pipelined NtRAM^TM

Revision History

Draft Date

Remark

Rev. No.

History

Preliminary

Preliminary

Feb. 23. 2001

May. 10. 2001

0.0

1. Initial document.

1. Add JTAG Scan Order

0.1

The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the

specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any ques-

tions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquarters.

May 2001

Rev 0.1

- 1 -

12 3 4 5 6 7...24

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