Datasheet > K7N163645A-QC16

K7N163645A-QC16

更新时间： 2024-01-20 03:55:04

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
24页	280K
描述
ZBT SRAM, 512KX36, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

K7N163645A-QC16 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFP	包装说明：	LQFP, QFP100,.63X.87
针数：	100	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.31	最长访问时间：	3.5 ns
其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE	最大时钟频率 (fCLK)：	167 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PQFP-G100
JESD-609代码：	e0	长度：	20 mm
内存密度：	18874368 bit	内存集成电路类型：	ZBT SRAM
内存宽度：	36	功能数量：	1
端子数量：	100	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	512KX36	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LQFP
封装等效代码：	QFP100,.63X.87	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	2.5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.6 mm
最大待机电流：	0.06 A	最小待机电流：	2.38 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.35 mA
最大供电电压 (Vsup)：	2.625 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.375 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

K7N163645A-QC16 数据手册

K7N163645A

K7N161845A

512Kx36 & 1Mx18 Pipelined NtRAM^TM

Document Title

512Kx36 & 1Mx18-Bit Pipelined NtRAM^TM

Revision History

Draft Date

Remark

Rev. No.

History

Preliminary

Feb. 23. 2001

May. 10. 2001

Aug. 30. 2001

0.0

0.1

0.2

1. Initial document.

1. Add JTAG Scan Order

1. Add x32 org and industrial temperature .

2. Add 165FBGA package

Preliminary

Dec. 26. 2001

0.3

1. Speed bin merge.

From K7N1636(32/18)49A to K7N1636(32/18)45A.

2. AC parameter change.

tOH(min)/tLZC(min) from 0.8 to 1.5 at -25

tOH(min)/tLZC(min) from 1.0 to 1.5 at -22

tOH(min)/tLZC(min) from 1.0 to 1.5 at -20

Final

May. 10. 2002

May. 22. 2002

1.0

2.0

Final spec release

Release Icc on page 14.

part #

-25

From

440

400

370

340

280

470

430

400

350

290

-22

-20

-16

-13

Final

April 04. 2003

Nov. 17, 2003

2.1

3.0

1. Delete 119BGA package.

2. Correct the Ball Size of 165 FBGA.

1. Delete x32 Org.

2. Delete the 225MHz speed bin

The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the

specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any ques-

tions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquarters.

Nov. 2003

Rev 3.0

- 1 -

12 3 4 5 6 7...24

中文翻译

下载PDF

与K7N163645A-QC16相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K7N163645A-QC160	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 512KX36, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
K7N163645A-QC200	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 512KX36, 3.2ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
K7N163645A-QC220	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 512KX36, 2.8ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
K7N163645A-QFCI25/20/16	SAMSUNG	获取价格	512Kx36 & 1Mx18 Pipelined NtRAM
K7N163645A-QI220	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 512KX36, 2.8ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
K7N163645-FC13	SAMSUNG	获取价格	512Kx36 & 1Mx18-Bit Flow Through NtRAM
K7N163645-FC16	SAMSUNG	获取价格	512Kx36 & 1Mx18-Bit Flow Through NtRAM
K7N163645-FC20	SAMSUNG	获取价格	512Kx36 & 1Mx18-Bit Flow Through NtRAM
K7N163645-FC25	SAMSUNG	获取价格	512Kx36 & 1Mx18-Bit Flow Through NtRAM
K7N163645-FI13	SAMSUNG	获取价格	512Kx36 & 1Mx18-Bit Flow Through NtRAM

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K7N163645A-QC16

K7N163645A-QC16 技术参数

K7N163645A-QC16 数据手册

与K7N163645A-QC16相关器件

与K7N163645A-QC16相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K7N163645A-QC16

K7N163645A-QC16 技术参数

K7N163645A-QC16 数据手册

与K7N163645A-QC16相关器件

与K7N163645A-QC16相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？