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K7N163645M-TC16 PDF预览

K7N163645M-TC16

更新时间： 2024-01-05 12:28:23
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
20页 468K
描述
ZBT SRAM, 512KX36, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100

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K7N163645M-TC16 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：QFP
包装说明：LQFP,针数：100
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.84
最长访问时间：3.5 nsJESD-30 代码：R-PQFP-G100
长度：20 mm内存密度：18874368 bit
内存集成电路类型：ZBT SRAM内存宽度：36
功能数量：1端子数量：100
字数：524288 words字数代码：512000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：512KX36
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LQFP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行：PARALLEL认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.6 mm最大供电电压 (Vsup)：2.625 V
最小供电电压 (Vsup)：2.375 V标称供电电压 (Vsup)：2.5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：GULL WING
端子节距：0.65 mm端子位置：QUAD
宽度：14 mmBase Number Matches：1

K7N163645M-TC16 数据手册

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K7N163645M  
K7N161845M  
512Kx36 & 1Mx18 Pipelined NtRAMTM  
Document Title  
512Kx36 & 1Mx18-Bit Pipelined NtRAMTM  
Revision History  
Draft Date  
Remark  
Rev.No.  
History  
Preliminary  
Preliminary  
Preliminary  
Dec. 22. 1998  
May. 27. 1999  
Nov. 19. 1999  
0.0  
1. Initial document.  
1. Update ICC & ISB values.  
0.1  
0.2  
1. Change pin allocation at 119BGA .  
- A4 ; from NC to A .  
- B2 ; from A to CS2  
- B4 ; from CKE to ADV  
- B6 ; from A to CS2  
- G4 ; from ADV to A  
- H4 ; from NC to WE  
- M4 ; from WE toCKE  
2. Changed DC condition at Icc and parameters  
Icc ; from 320mA to 300mA at -67,  
from 300mA to 280mA at -75,  
Preliminary  
Fianl  
Nov. 26. 1999  
Jan. 28. 2000  
0.3  
1.0  
Add tCYC 167MHz.  
Final spec release  
The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the  
specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any ques-  
tions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquarters.  
January 2000  
Rev 1.0  
- 1 -  
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