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K7N167245A-HC130

更新时间： 2024-02-16 10:01:18

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
20页	246K
描述
ZBT SRAM, 256KX72, 4.2ns, CMOS, PBGA209, 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, BGA-209

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K7N167245A-HC130 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	14 X 22 MM, 1 MM PITCH, BGA-209	针数：	209
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.84
最长访问时间：	4.2 ns	其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码：	R-PBGA-B209	长度：	22 mm
内存密度：	18874368 bit	内存集成电路类型：	ZBT SRAM
内存宽度：	72	功能数量：	1
端子数量：	209	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	256KX72	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	BGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	2.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	2.625 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.375 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	1 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

K7N167245A-HC130 数据手册

K7N167245A

256Kx72 Pipelined NtRAM^TM

Document Title

256Kx72-Bit Pipelined NtRAM^TM

Revision History

Draft Date

Remark

Rev. No.

History

Preliminary

April. 21. 2001

May. 10. 2001

Aug. 30. 2001

Dec. 26. 2001

0.0

0.1

0.2

0.3

1. Initial document.

1. Add JTAG Scan Order

1. Update DC characteristics(icc,isb)

1. Speed bin merge.

From K7N167249A to K7N167245A.

2. AC parameter change.

tOH(min)/tLZC(min) from 0.8 to 1.5 at -25

tOH(min)/tLZC(min) from 1.0 to 1.5 at -22

tOH(min)/tLZC(min) from 1.0 to 1.5 at -20

Final

Feb. 11, 2003

1.0

1. Correct the sleep mode current on page 11. (60mA)

2. Update the Undershoot diagram.

The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the

specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any ques-

tions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquarters.

April 2003

Rev 1.0

- 1 -

12 3 4 5 6 7...20

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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K7N167245A-HC20	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 256KX72, 3.2ns, CMOS, PBGA209, 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, BGA-209
K7N167245A-HC200	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 256KX72, 3.2ns, CMOS, PBGA209, 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, BGA-209
K7N167245A-HC22	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 256KX72, 2.8ns, CMOS, PBGA209, 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, BGA-209
K7N167245A-HC220	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 256KX72, 2.8ns, CMOS, PBGA209, 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, BGA-209
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K7N167249A-HC25	SAMSUNG	获取价格	SRAM
K7N321801M	SAMSUNG	获取价格	1Mx36 & 2Mx18-Bit Pipelined NtRAM

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