生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | BGA |
包装说明: | BGA, | 针数: | 119 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.83 |
最长访问时间: | 4.2 ns | 其他特性: | PIPELINED ARCHITECTURE |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B119 | 长度: | 22 mm |
内存密度: | 37748736 bit | 内存集成电路类型: | ZBT SRAM |
内存宽度: | 18 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 119 | 字数: | 2097152 words |
字数代码: | 2000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 2MX18 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | BGA | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY | 并行/串行: | PARALLEL |
认证状态: | Not Qualified | 最大供电电压 (Vsup): | 3.465 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3.135 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | BOTTOM |
宽度: | 14 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K7N321801M-HC15 | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 2MX18, 3.8ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 | |
K7N321801M-HC150 | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 2MX18, 3.8ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 | |
K7N321801M-HC160 | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 2MX18, 3.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 | |
K7N321801M-HC20 | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 2MX18, 3.2ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 | |
K7N321801M-HC22 | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 2MX18, 2.8ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 | |
K7N321801M-HC25 | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 2MX18, 2.6ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 | |
K7N321801M-QC13 | SAMSUNG |
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1Mx36 & 2Mx18 Pipelined NtRAM | |
K7N321801M-QC15 | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 2MX18, 3.8ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 | |
K7N321801M-QC150 | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 2MX18, 3.8ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 | |
K7N321801M-QC16 | SAMSUNG |
获取价格 |
1Mx36 & 2Mx18 Pipelined NtRAM |