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K7N321801M-QC200

更新时间： 2024-01-02 14:48:16

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
19页	389K
描述
ZBT SRAM, 2MX18, 3.2ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100

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K7N321801M-QC200 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFP
包装说明：	LQFP,	针数：	100
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.83
最长访问时间：	3.2 ns	其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码：	R-PQFP-G100	长度：	20 mm
内存密度：	37748736 bit	内存集成电路类型：	ZBT SRAM
内存宽度：	18	功能数量：	1
端子数量：	100	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	2MX18	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LQFP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.465 V	最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	QUAD	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

K7N321801M-QC200 数据手册

K7M323625M

K7M321825M

1Mx36 & 2Mx18 Flow-Through NtRAM^TM

36Mb NtRAM Specification

100 TQFP with Pb only

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* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 5.0 February 2006

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K7N321801M-QC22	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 2MX18, 2.8ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
K7N321801M-QC25	SAMSUNG	获取价格	1Mx36 & 2Mx18 Flow-Through NtRAM
K7N321801M-QC250	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 2MX18, 2.6ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
K7N321809M-HC20	SAMSUNG	获取价格	SRAM
K7N321809M-HC25	SAMSUNG	获取价格	SRAM
K7N321809M-QC20	SAMSUNG	获取价格	SRAM
K7N321809M-QC25	SAMSUNG	获取价格	SRAM
K7N321831C	SAMSUNG	获取价格	1Mx36 & 2Mx18 Pipelined NtRAM
K7N321831C-EC160	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 2MX18, 3.5ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FBGA-165
K7N321831C-EC16T	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 2MX18, 3.5ns, CMOS, PBGA165

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