Datasheet > K7N321831C-PC160

K7N321831C-PC160

更新时间： 2024-09-29 04:00:51

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
25页	548K
描述
ZBT SRAM, 2MX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, ROHS COMPLIANT, TQFP-100

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

K7N321831C-PC160 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFP	包装说明：	20 X 14 MM, ROHS COMPLIANT, TQFP-100
针数：	100	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.84	最长访问时间：	3.5 ns
其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE, IT CAN ALSO OPERATES AT 3.3V.	最大时钟频率 (fCLK)：	166 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PQFP-G100
JESD-609代码：	e6	长度：	20 mm
内存密度：	37748736 bit	内存集成电路类型：	ZBT SRAM
内存宽度：	18	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	100
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	2MX18
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LQFP	封装等效代码：	QFP100,.63X.87
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	2.5,3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.6 mm	最大待机电流：	0.1 A
最小待机电流：	2.38 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.36 mA	最大供电电压 (Vsup)：	2.625 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.375 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Bismuth (Sn97Bi3)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

K7N321831C-PC160 数据手册

K7N323631C

K7N321831C

1Mx36 & 2Mx18 Pipelined NtRAM^TM

36Mb NtRAM^TMSpecification

100TQFP/165FBGA with Pb / Pb-Free

(RoHS compliant)

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,

TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOLOGY.

ALL INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED

ON AS "AS IS" BASIS WITHOUT GUARANTEE OR WARRANTY OF ANY KIND.

1. For updates or additional information about Samsung products, contact your nearest Samsung office.

2. Samsung products are not intended for use in life support, critical care, medical, safety equipment, or simi-

lar applications where Product failure couldresult in loss of life or personal or physical harm, or any military

or defense application, or any governmental procurement to which special terms or provisions may apply.

* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 1.2 September 2008

- 1 -

12 3 4 5 6 7...25

中文翻译

下载PDF

与K7N321831C-PC160相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K7N321831C-PC16T	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 2MX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100,
K7N321831C-PC250	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 2MX18, 2.6ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, ROHS COMPLIANT, TQFP-100
K7N321831C-PI160	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 2MX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, ROHS COMPLIANT, TQFP-100
K7N321831C-PI16T	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 2MX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100,
K7N321831C-PI250	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 2MX18, 2.6ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, ROHS COMPLIANT, TQFP-100
K7N321831C-PI25T	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 2MX18, 2.6ns, CMOS, PQFP100
K7N321831C-QC16T	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 2MX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100
K7N321831C-QI25T	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 2MX18, 2.6ns, CMOS, PQFP100
K7N321845M-FC13	SAMSUNG	获取价格	1Mx36 & 2Mx18 Pipelined NtRAM
K7N321845M-FC130	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 2MX18, 4.2ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165

与K7N321831C-PC160相关文章

塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
2024-09-29

24
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
2024-09-29

21
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

20
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

32

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K7N321831C-PC160

K7N321831C-PC160 技术参数

K7N321831C-PC160 数据手册

与K7N321831C-PC160相关器件

与K7N321831C-PC160相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K7N321831C-PC160

K7N321831C-PC160 技术参数

K7N321831C-PC160 数据手册

与K7N321831C-PC160相关器件

与K7N321831C-PC160相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？