是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | BGA, BGA209,11X19,40 |
针数: | 209 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.92 | 最长访问时间: | 2.8 ns |
最大时钟频率 (fCLK): | 225 MHz | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B209 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 22 mm | 内存密度: | 18874368 bit |
内存集成电路类型: | ZBT SRAM | 内存宽度: | 72 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 209 |
字数: | 262144 words | 字数代码: | 256000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 256KX72 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | BGA | 封装等效代码: | BGA209,11X19,40 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 2.5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 2.2 mm |
最大待机电流: | 0.06 A | 最小待机电流: | 2.38 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.58 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 2.625 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.375 V |
标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 1 mm | 端子位置: | BOTTOM |
宽度: | 14 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K7N167245A-HC220 | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 256KX72, 2.8ns, CMOS, PBGA209, 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, BGA-209 |
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K7N167245A-HC25 | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 256KX72, 2.6ns, CMOS, PBGA209, 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, BGA-209 |
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K7N167249A-HC25 | SAMSUNG |
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SRAM |
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K7N321801M | SAMSUNG |
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1Mx36 & 2Mx18-Bit Pipelined NtRAM |
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K7N321801M-FC13 | SAMSUNG |
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1Mx36 & 2Mx18 Pipelined NtRAM |
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K7N321801M-FC150 | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 2MX18, 3.8ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 |
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K7N321801M-FC16 | SAMSUNG |
获取价格 |
1Mx36 & 2Mx18 Pipelined NtRAM |
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K7N321801M-FC20 | SAMSUNG |
获取价格 |
1Mx36 & 2Mx18 Pipelined NtRAM |
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K7N321801M-FC220 | SAMSUNG |
获取价格 |
ZBT SRAM, 2MX18, 2.8ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 |
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K7N321801M-FC25 | SAMSUNG |
获取价格 |
1Mx36 & 2Mx18 Pipelined NtRAM |
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