是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | BGA, BGA119,7X17,50 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.92 |
最长访问时间: | 3.8 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B119 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 18874368 bit | 内存集成电路类型: | ZBT SRAM |
内存宽度: | 36 | 湿度敏感等级: | 3 |
端子数量: | 119 | 字数: | 524288 words |
字数代码: | 512000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 512KX36 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | BGA |
封装等效代码: | BGA119,7X17,50 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 2.5 V |
认证状态: | Not Qualified | 最大待机电流: | 0.01 A |
最小待机电流: | 2.38 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.3 mA | 标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K7N163645M-QC13 | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 512KX36, 4.2ns, CMOS, PQFP100 |
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K7N163645M-QC130 | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 512KX36, 4.2ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 |
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K7N163645M-QC13T | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 512KX36, 4.2ns, CMOS, PQFP100 |
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K7N163645M-QC15 | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 512KX36, 3.8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100 |
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K7N163645M-QC150 | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 512KX36, 3.8ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 |
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K7N163645M-QC15T | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 512KX36, 3.8ns, CMOS, PQFP100 |
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K7N163645M-QC16 | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 512KX36, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100 |
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K7N163645M-QC160 | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 512KX36, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 |
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K7N163645M-QC16T | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 512KX36, 3.5ns, CMOS, PQFP100 |
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K7N163645M-TC10 | SAMSUNG |
获取价格 |
ZBT SRAM, 512KX36, 5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 |
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