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K7N163645A-QC200

更新时间： 2024-01-12 07:07:25

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
19页	388K
描述
ZBT SRAM, 512KX36, 3.2ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100

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K7N163645A-QC200 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFP	包装说明：	LQFP,
针数：	100	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.91	最长访问时间：	3.2 ns
其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE	JESD-30 代码：	R-PQFP-G100
JESD-609代码：	e0	长度：	20 mm
内存密度：	18874368 bit	内存集成电路类型：	ZBT SRAM
内存宽度：	36	功能数量：	1
端子数量：	100	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	512KX36	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LQFP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	230	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.6 mm	最大供电电压 (Vsup)：	2.625 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.375 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

K7N163645A-QC200 数据手册

K7M163625A

K7M161825A

512Kx36 & 1Mx18 Flow-Through NtRAM^TM

18Mb NtRAM Specification

100 TQFP with Pb & Pb-Free

(RoHS compliant)

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NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

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* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 3.0 November 2003

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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K7N163645A-QI220	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 512KX36, 2.8ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
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