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K7I163684B-EI200

更新时间： 2024-11-20 15:36:07

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟双倍数据速率静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
18页	416K
描述
DDR SRAM, 512KX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FBGA-165

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K7I163684B-EI200 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	LBGA, BGA165,11X15,40
针数：	165	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.84	最长访问时间：	0.45 ns
其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE	最大时钟频率 (fCLK)：	300 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PBGA-B165
JESD-609代码：	e1	长度：	15 mm
内存密度：	18874368 bit	内存集成电路类型：	DDR SRAM
内存宽度：	36	湿度敏感等级：	2
功能数量：	1	端子数量：	165
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	512KX36
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LBGA	封装等效代码：	BGA165,11X15,40
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	1.5/1.8,1.8 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.4 mm	最大待机电流：	0.19 A
最小待机电流：	1.7 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.45 mA	最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	TIN SILVER COPPER
端子形式：	BALL	端子节距：	1 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
宽度：	13 mm	Base Number Matches：	1

K7I163684B-EI200 数据手册

K7I163684B

K7I161884B

512Kx36 & 1Mx18 DDRII CIO b4 SRAM

18Mb DDRII SRAM Specification

165FBGA with Pb & Pb-Free

(RoHS compliant)

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Rev. 5.0 July 2006

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K7I163684B-EI250	SAMSUNG	获取价格	DDR SRAM, 512KX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FBGA-165
K7I163684B-EI25T	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 512KX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165
K7I163684B-EI300	SAMSUNG	获取价格	DDR SRAM, 512KX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FBGA-165
K7I163684B-EI30T	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 512KX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165
K7I163684B-FC200	SAMSUNG	获取价格	DDR SRAM, 512KX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
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K7I163684B-FC300	SAMSUNG	获取价格	DDR SRAM, 512KX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
K7I163684B-FI200	SAMSUNG	获取价格	DDR SRAM, 512KX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165

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