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K7I163684B-EI30T

更新时间： 2024-11-20 15:36:11

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
18页	416K
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Standard SRAM, 512KX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165

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K7I163684B-EI30T 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	BGA, BGA165,11X15,40
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最长访问时间：	0.45 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	300 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PBGA-B165
JESD-609代码：	e1	内存密度：	18874368 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	36
端子数量：	165	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	SYNCHRONOUS
组织：	512KX36	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	BGA
封装等效代码：	BGA165,11X15,40	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	1.5/1.8,1.8 V
认证状态：	Not Qualified	最大待机电流：	0.23 A
最小待机电流：	1.7 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.55 mA	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	端子面层：	TIN SILVER COPPER
端子形式：	BALL	端子节距：	1 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
Base Number Matches：	1

K7I163684B-EI30T 数据手册

K7I163684B

K7I161884B

512Kx36 & 1Mx18 DDRII CIO b4 SRAM

18Mb DDRII SRAM Specification

165FBGA with Pb & Pb-Free

(RoHS compliant)

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* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 5.0 July 2006

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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K7I163684B-FC300	SAMSUNG	获取价格	DDR SRAM, 512KX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
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