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K7I320884M-FC16T

更新时间： 2024-11-20 20:56:43
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 时钟静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
18页 181K
描述
Application Specific SRAM, 4MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165

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K7I320884M-FC16T 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：LBGA, BGA165,11X15,40Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.92最长访问时间：0.5 ns
最大时钟频率 (fCLK)：167 MHzI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PBGA-B165长度：17 mm
内存密度：33554432 bit内存集成电路类型：APPLICATION SPECIFIC SRAM
内存宽度：8湿度敏感等级：1
功能数量：1端子数量：165
字数：4194304 words字数代码：4000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：4MX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：LBGA封装等效代码：BGA165,11X15,40
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：225
电源：1.5/1.8,1.8 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.4 mm最大待机电流：0.19 A
最小待机电流：1.7 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.45 mA最大供电电压 (Vsup)：1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：1.7 V标称供电电压 (Vsup)：1.8 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：BALL
端子节距：1 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：15 mm
Base Number Matches：1

K7I320884M-FC16T 数据手册

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K7I323684M  
K7I321884M  
K7I320884M  
1Mx36 & 2Mx18 & 4Mx8 DDRII CIO b4 SRAM  
Document Title  
1Mx36-bit, 2Mx18-bit, 4Mx8-bit DDRII CIO b4 SRAM  
Revision History  
Rev. No.  
History  
Draft Date  
Remark  
0.0  
1. Initial document.  
Advance  
Preliminary  
October, 22 2001  
0.1  
1. Pin name change from DLL to Doff.  
December, 14 2001  
2. Vddq range change from 1.5V to 1.5V~1.8V.  
3. Update JTAG test conditions.  
4. Reserved pin for high density name change from NC to Vss/SA  
5. Delete AC test condition about Clock Input timing Reference Level  
6. Delete clock description on page 2 and add HSTL I/O comment  
0.2  
0.3  
0.4  
1. Update current characteristics in DC electrical characteristics  
2. Change AC timing characteristics  
Preliminary  
Preliminary  
Preliminary  
July, 29. 2002  
Sep. 6. 2002  
Oct. 7. 2002  
3. Update JTAG instruction coding and diagrams  
1. Add AC electrical characteristics.  
2. Change AC timing characteristics.  
3. Change DC electrical characteristics(ISB1)  
1. Change the data Setup/Hold time.  
2. Change the Access Time.(tCHQV, tCHQX, etc.)  
3. Change the Clock Cycle Time.(MAX value of tKHKH)  
4. Change the JTAG instruction coding.  
0.5  
1. Change the Boundary scan exit order.  
Preliminary  
Dec. 16, 2002  
2. Change the AC timing characteristics(-25, -20)  
3. Correct the Overshoot and Undershoot timing diagrams.  
0.6  
0.7  
0.8  
1. Correct the JTAG ID register definition  
2. Correct the AC timing parameter (delete the tKHKH Max value)  
Preliminary  
Preliminary  
Preliminary  
Mar. 20, 2003  
April. 4, 2003  
Oct. 29, 2003  
1. Change the Maximum Clock cycle time.  
2. Correct the 165FBGA package ball size.  
1. Change the operating current parameter.  
before  
620  
520  
440  
560  
470  
410  
540  
450  
390  
200  
180  
160  
after  
700  
600  
500  
670  
570  
470  
650  
550  
450  
230  
200  
190  
Icc(x36) -25 :  
-20 :  
-16 :  
Icc(x18) -25 :  
-20 :  
-16 :  
Icc(x 8 ) -25 :  
-20 :  
-16 :  
Isb1  
-25 :  
-20 :  
-16 :  
1.0  
1. Final spec release  
Final  
Oct. 31, 2003  
The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the  
specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any ques-  
tions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquarters.  
Oct. 2003  
Rev 1.0  
- 1 -  
1234567...18

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K7I320884M-FC20 SAMSUNG

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