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K7I321882C-EI330

更新时间： 2024-11-24 19:05:07

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟双倍数据速率静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
18页	413K
描述
DDR SRAM, 2MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FBGA-165

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K7I321882C-EI330 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	LBGA, BGA165,11X15,40
针数：	165	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	0.45 ns	其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)：	333 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PBGA-B165	JESD-609代码：	e1
长度：	17 mm	内存密度：	37748736 bit
内存集成电路类型：	DDR SRAM	内存宽度：	18
湿度敏感等级：	2	功能数量：	1
端子数量：	165	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	2MX18	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LBGA
封装等效代码：	BGA165,11X15,40	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	1.5/1.8,1.8 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.4 mm
最大待机电流：	0.3 A	最小待机电流：	1.7 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.7 mA
最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	BALL
端子节距：	1 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	宽度：	15 mm
Base Number Matches：	1

K7I321882C-EI330 数据手册

K7I323682C

K7I321882C

1Mx36 & 2Mx18 DDRII CIO b2 SRAM

36Mb DDRII SRAM Specification

165 FBGA with Pb & Pb-Free

(RoHS compliant)

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

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* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 1.1 August 2006

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