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K7I320884M-FC250

更新时间： 2024-11-24 20:56:43
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 时钟双倍数据速率静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
18页 181K
描述
DDR SRAM, 4MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165

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K7I320884M-FC250 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：BGA包装说明：LBGA, BGA165,11X15,40
针数：165Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：3A991.B.2.AHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.92最长访问时间：0.45 ns
其他特性：PIPELINED ARCHITECTURE最大时钟频率 (fCLK)：250 MHz
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PBGA-B165
长度：17 mm内存密度：33554432 bit
内存集成电路类型：DDR SRAM内存宽度：8
湿度敏感等级：1功能数量：1
端子数量：165字数：4194304 words
字数代码：4000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：4MX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LBGA
封装等效代码：BGA165,11X15,40封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, LOW PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：225电源：1.5/1.8,1.8 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.4 mm
最大待机电流：0.23 A最小待机电流：1.7 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.65 mA
最大供电电压 (Vsup)：1.9 V最小供电电压 (Vsup)：1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：BALL端子节距：1 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：15 mmBase Number Matches：1

K7I320884M-FC250 数据手册

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K7I323684M  
K7I321884M  
K7I320884M  
1Mx36 & 2Mx18 & 4Mx8 DDRII CIO b4 SRAM  
Document Title  
1Mx36-bit, 2Mx18-bit, 4Mx8-bit DDRII CIO b4 SRAM  
Revision History  
Rev. No.  
History  
Draft Date  
Remark  
0.0  
1. Initial document.  
Advance  
Preliminary  
October, 22 2001  
0.1  
1. Pin name change from DLL to Doff.  
December, 14 2001  
2. Vddq range change from 1.5V to 1.5V~1.8V.  
3. Update JTAG test conditions.  
4. Reserved pin for high density name change from NC to Vss/SA  
5. Delete AC test condition about Clock Input timing Reference Level  
6. Delete clock description on page 2 and add HSTL I/O comment  
0.2  
0.3  
0.4  
1. Update current characteristics in DC electrical characteristics  
2. Change AC timing characteristics  
Preliminary  
Preliminary  
Preliminary  
July, 29. 2002  
Sep. 6. 2002  
Oct. 7. 2002  
3. Update JTAG instruction coding and diagrams  
1. Add AC electrical characteristics.  
2. Change AC timing characteristics.  
3. Change DC electrical characteristics(ISB1)  
1. Change the data Setup/Hold time.  
2. Change the Access Time.(tCHQV, tCHQX, etc.)  
3. Change the Clock Cycle Time.(MAX value of tKHKH)  
4. Change the JTAG instruction coding.  
0.5  
1. Change the Boundary scan exit order.  
Preliminary  
Dec. 16, 2002  
2. Change the AC timing characteristics(-25, -20)  
3. Correct the Overshoot and Undershoot timing diagrams.  
0.6  
0.7  
0.8  
1. Correct the JTAG ID register definition  
2. Correct the AC timing parameter (delete the tKHKH Max value)  
Preliminary  
Preliminary  
Preliminary  
Mar. 20, 2003  
April. 4, 2003  
Oct. 29, 2003  
1. Change the Maximum Clock cycle time.  
2. Correct the 165FBGA package ball size.  
1. Change the operating current parameter.  
before  
620  
520  
440  
560  
470  
410  
540  
450  
390  
200  
180  
160  
after  
700  
600  
500  
670  
570  
470  
650  
550  
450  
230  
200  
190  
Icc(x36) -25 :  
-20 :  
-16 :  
Icc(x18) -25 :  
-20 :  
-16 :  
Icc(x 8 ) -25 :  
-20 :  
-16 :  
Isb1  
-25 :  
-20 :  
-16 :  
1.0  
1. Final spec release  
Final  
Oct. 31, 2003  
The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the  
specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any ques-  
tions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquarters.  
Oct. 2003  
Rev 1.0  
- 1 -  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K7I320884M-FC25T SAMSUNG

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 		Application Specific SRAM, 4MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
K7I321882C SAMSUNG

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 		1Mx36 & 2Mx18 DDRII CIO b2 SRAM
K7I321882C-EC250 SAMSUNG

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 		DDR SRAM, 2MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FBGA-165
K7I321882C-EC25T SAMSUNG

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 		Standard SRAM, 2MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165
K7I321882C-EC300 SAMSUNG

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 		DDR SRAM, 2MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FBGA-165
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