Datasheet > K7I320882M-FC20

K7I320882M-FC20

更新时间： 2024-11-21 07:43:03

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟双倍数据速率静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
18页	181K
描述
DDR SRAM, 4MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

K7I320882M-FC20 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	LBGA, BGA165,11X15,40
针数：	165	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.73	最长访问时间：	0.45 ns
其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE	最大时钟频率 (fCLK)：	200 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PBGA-B165
JESD-609代码：	e0	长度：	17 mm
内存密度：	33554432 bit	内存集成电路类型：	DDR SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	165	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	4MX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LBGA
封装等效代码：	BGA165,11X15,40	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	1.5/1.8,1.8 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.4 mm
最大待机电流：	0.18 A	最小待机电流：	1.7 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.45 mA
最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	BALL
端子节距：	1 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	15 mm
Base Number Matches：	1

K7I320882M-FC20 数据手册

K7I323682M

K7I321882M

K7I320882M

Preliminary

1Mx36 & 2Mx18 & 4Mx8 DDRII CIO b2 SRAM

Document Title

1Mx36-bit, 2Mx18-bit, 4Mx8-bit DDRII CIO b2 SRAM

Revision History

Rev. No.

History

Draft Date

Remark

0.0

1. Initial document.

Advance

Preliminary

October, 22 2001

December, 12 2001

0.1

1. Pin name change from DLL to Doff.

2. Vddq range change from 1.5V to 1.5V~1.8V.

3. Update JTAG test conditions.

4. Reserved pin for high density name change from NC to Vss/SA

5. Delete AC test condition about Clock Input timing Reference Level

6. Delete clock description on page 2 and add HSTL I/O comment

0.2

0.3

0.4

1. Update current characteristics in DC electrical characteristics

2. Change AC timing characteristics

Preliminary

July, 29. 2002

Sep. 6. 2002

Oct. 7. 2002

3. Update JTAG instruction coding and diagrams

1. Add AC electrical characteristics.

2. Change AC timing characteristics.

3. Change DC electrical characteristics(ISB1)

1. Change the data Setup/Hold time.

2. Change the Access Time.(tCHQV, tCHQX, etc.)

3. Change the Clock Cycle Time.(MAX value of tKHKH)

4. Change the JTAG instruction coding.

0.5

1. Change the Boundary scan exit order.

Preliminary

Dec. 16, 2002

2. Change the AC timing characteristics(-25, -20)

3. Correct the Overshoot and Undershoot timing diagrams.

The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the

specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any ques-

tions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquarters.

Dec. 2002

Rev 0.5

- 1 -

12 3 4 5 6 7...18

中文翻译

下载PDF

与K7I320882M-FC20相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K7I320882M-FC200	SAMSUNG	获取价格	DDR SRAM, 4MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
K7I320882M-FC25	SAMSUNG	获取价格	DDR SRAM, 4MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
K7I320882M-FC250	SAMSUNG	获取价格	DDR SRAM, 4MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
K7I320884M-FC13	SAMSUNG	获取价格	DDR SRAM, 4MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
K7I320884M-FC16	SAMSUNG	获取价格	DDR SRAM, 4MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
K7I320884M-FC160	SAMSUNG	获取价格	DDR SRAM, 4MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
K7I320884M-FC16T	SAMSUNG	获取价格	Application Specific SRAM, 4MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
K7I320884M-FC20	SAMSUNG	获取价格	DDR SRAM, 4MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
K7I320884M-FC200	SAMSUNG	获取价格	DDR SRAM, 4MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
K7I320884M-FC20T	SAMSUNG	获取价格	Application Specific SRAM, 4MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165

与K7I320882M-FC20相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

25
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

17
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

49
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

46

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K7I320882M-FC20

K7I320882M-FC20 技术参数

K7I320882M-FC20 数据手册

与K7I320882M-FC20相关器件

与K7I320882M-FC20相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K7I320882M-FC20

K7I320882M-FC20 技术参数

K7I320882M-FC20 数据手册

与K7I320882M-FC20相关器件

与K7I320882M-FC20相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？