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K7I163684B-FC200

更新时间： 2024-11-20 14:51:47

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟双倍数据速率静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
18页	416K
描述
DDR SRAM, 512KX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165

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K7I163684B-FC200 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	LBGA, BGA165,11X15,40
针数：	165	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	0.45 ns	其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)：	300 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PBGA-B165	长度：	15 mm
内存密度：	18874368 bit	内存集成电路类型：	DDR SRAM
内存宽度：	36	功能数量：	1
端子数量：	165	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	512KX36	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LBGA
封装等效代码：	BGA165,11X15,40	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	1.5/1.8,1.8 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.4 mm
最大待机电流：	0.19 A	最小待机电流：	1.7 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.45 mA
最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	1 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	13 mm	Base Number Matches：	1

K7I163684B-FC200 数据手册

K7I163684B

K7I161884B

512Kx36 & 1Mx18 DDRII CIO b4 SRAM

18Mb DDRII SRAM Specification

165FBGA with Pb & Pb-Free

(RoHS compliant)

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Rev. 5.0 July 2006

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K7I163684B-FI20T	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 512KX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165
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