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K7I320882M-FC160

更新时间： 2024-11-20 20:04:43

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		双倍数据速率静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
18页	179K
描述
DDR SRAM, 4MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165

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K7I320882M-FC160 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	LBGA,	针数：	165
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.84
最长访问时间：	0.5 ns	其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码：	R-PBGA-B165	长度：	17 mm
内存密度：	33554432 bit	内存集成电路类型：	DDR SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	165	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	4MX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.4 mm
最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	1 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	15 mm
Base Number Matches：	1

K7I320882M-FC160 数据手册

K7I323682M

K7I321882M

K7I320882M

1Mx36 & 2Mx18 & 4Mx8 DDRII CIO b2 SRAM

Document Title

1Mx36-bit, 2Mx18-bit, 4Mx8-bit DDRII CIO b2 SRAM

Revision History

Rev. No.

History

Draft Date

Remark

0.0

1. Initial document.

Advance

Preliminary

October, 22 2001

December, 12 2001

0.1

1. Pin name change from DLL to Doff.

2. Vddq range change from 1.5V to 1.5V~1.8V.

3. Update JTAG test conditions.

4. Reserved pin for high density name change from NC to Vss/SA

5. Delete AC test condition about Clock Input timing Reference Level

6. Delete clock description on page 2 and add HSTL I/O comment

0.2

0.3

0.4

1. Update current characteristics in DC electrical characteristics

2. Change AC timing characteristics

Preliminary

July, 29. 2002

Sep. 6. 2002

Oct. 7. 2002

3. Update JTAG instruction coding and diagrams

1. Add AC electrical characteristics.

2. Change AC timing characteristics.

3. Change DC electrical characteristics(ISB1)

1. Change the data Setup/Hold time.

2. Change the Access Time.(tCHQV, tCHQX, etc.)

3. Change the Clock Cycle Time.(MAX value of tKHKH)

4. Change the JTAG instruction coding.

0.5

1. Change the Boundary scan exit order.

Preliminary

Dec. 16, 2002

2. Change the AC timing characteristics(-25, -20)

3. Correct the Overshoot and Undershoot timing diagrams.

0.6

0.7

0.8

1. Correct the JTAG ID register definition

2. Correct the AC timing parameter (delete the tKHKH Max value)

Preliminary

Mar. 20, 2003

April. 4, 2003

Oct. 29, 2003

1. Change the Maximum Clock cycle time.

2. Correct the 165FBGA package ball size.

1. Change the operating current parameter.

before

620

520

440

560

470

410

540

450

390

200

180

160

after

700

600

500

670

570

470

650

550

450

230

200

190

Icc(x36) -25 :

-20 :

-16 :

Icc(x18) -25 :

-20 :

-16 :

Icc(x 8 ) -25 :

-20 :

-16 :

Isb1

-25 :

-20 :

-16 :

1.0

1. Final spec release

Final

Oct. 31, 2003

The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the

specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any ques-

tions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquarters.

Oct. 2003

Rev 1.0

- 1 -

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K7I320882M-FC200	SAMSUNG	获取价格	DDR SRAM, 4MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
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K7I320884M-FC160	SAMSUNG	获取价格	DDR SRAM, 4MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
K7I320884M-FC16T	SAMSUNG	获取价格	Application Specific SRAM, 4MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
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K7I320884M-FC200	SAMSUNG	获取价格	DDR SRAM, 4MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165

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