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K7I163684B-EC25T

更新时间： 2024-11-20 15:36:07

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
18页	416K
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Standard SRAM, 512KX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165

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K7I163684B-EC25T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	BGA, BGA165,11X15,40
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最长访问时间：	0.45 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	250 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PBGA-B165
JESD-609代码：	e1	内存密度：	18874368 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	36
湿度敏感等级：	3	端子数量：	165
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	SYNCHRONOUS	组织：	512KX36
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	BGA	封装等效代码：	BGA165,11X15,40
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	1.5/1.8,1.8 V	认证状态：	Not Qualified
最大待机电流：	0.21 A	最小待机电流：	1.7 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.5 mA
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	BALL
端子节距：	1 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	Base Number Matches：	1

K7I163684B-EC25T 数据手册

K7I163684B

K7I161884B

512Kx36 & 1Mx18 DDRII CIO b4 SRAM

18Mb DDRII SRAM Specification

165FBGA with Pb & Pb-Free

(RoHS compliant)

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Rev. 5.0 July 2006

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K7I163684B-EC300	SAMSUNG	获取价格	DDR SRAM, 512KX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FBGA-165
K7I163684B-EC30T	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 512KX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165
K7I163684B-EI160	SAMSUNG	获取价格	DDR SRAM, 512KX36, 0.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FBGA-165
K7I163684B-EI16T	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 512KX36, 0.5ns, CMOS, PBGA165
K7I163684B-EI200	SAMSUNG	获取价格	DDR SRAM, 512KX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FBGA-165
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K7I163684B-EI250	SAMSUNG	获取价格	DDR SRAM, 512KX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FBGA-165
K7I163684B-EI25T	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 512KX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165
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